PD612BA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PD612BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Encapsulados: TO252
Búsqueda de reemplazo de PD612BA MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
PD612BA datasheet
pd612ba.pdf
PD612BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9m @VGS = 10V 30V 47A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 47 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 30 A IDM 120 Pulsed Drain Current1
Otros transistores... PD506BA , PD510BA , PD516BA , PD517BA , PD533BA , PD537BA , PD548BA , PD570BA , SI2302 , PD628BA , P0806AT , P0806ATF , P0806ATX , P0808ATG , P082ABD8 , P0850AT , P0850ATF .
History: BRCS200P03ZC | NCEP0114AS
History: BRCS200P03ZC | NCEP0114AS
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent
