PD612BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PD612BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PD612BA Datasheet (PDF)
pd612ba.pdf

PD612BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 47ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C47IDContinuous Drain Current2TC= 100 C30AIDM120Pulsed Drain Current1
Другие MOSFET... PD506BA , PD510BA , PD516BA , PD517BA , PD533BA , PD537BA , PD548BA , PD570BA , IRFZ46N , PD628BA , P0806AT , P0806ATF , P0806ATX , P0808ATG , P082ABD8 , P0850AT , P0850ATF .
History: DMN3052LSS | FHF630A
History: DMN3052LSS | FHF630A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent