Справочник MOSFET. PD612BA

 

PD612BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PD612BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для PD612BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD612BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:469K  unikc
 pd612ba.pdf pdf_icon

PD612BA

PD612BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 47ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C47IDContinuous Drain Current2TC= 100 C30AIDM120Pulsed Drain Current1

Другие MOSFET... PD506BA , PD510BA , PD516BA , PD517BA , PD533BA , PD537BA , PD548BA , PD570BA , IRFZ46N , PD628BA , P0806AT , P0806ATF , P0806ATX , P0808ATG , P082ABD8 , P0850AT , P0850ATF .

History: LND08R085 | AM7940N | L1N60A | APT6038SFLLG | GSM8936 | BLS60R036-W | NCE85H21TC

 

 
Back to Top

 


 
.