PD612BA - описание и поиск аналогов

 

PD612BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PD612BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для PD612BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD612BA даташит

 ..1. Size:469K  unikc
 pd612ba.pdf pdf_icon

PD612BA

PD612BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9m @VGS = 10V 30V 47A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 47 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 30 A IDM 120 Pulsed Drain Current1

Другие MOSFET... PD506BA , PD510BA , PD516BA , PD517BA , PD533BA , PD537BA , PD548BA , PD570BA , SI2302 , PD628BA , P0806AT , P0806ATF , P0806ATX , P0808ATG , P082ABD8 , P0850AT , P0850ATF .

History: HM4826A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.