P0806AT Todos los transistores

 

P0806AT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P0806AT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 113 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 82 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 466 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: TO220

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P0806AT datasheet

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P0806AT

P0806AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 8.5m @VGS = 10V 82A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 25 TC = 25 C 82 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 52 A IDM 246 Pulsed Drain Current

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P0806AT

P0806ATX N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 8m @VGS = 10V 110A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 110 ID Continuous Drain Current1 TC = 100 C 69 A IDM 300 Pulsed Drain Current2 IAS Avalanche Current 102

 0.2. Size:353K  unikc
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P0806AT

P0806ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 8.5m @VGS = 10V 57A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 25 V TC = 25 C 57 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 36 A IDM Pulsed Drain Current 220 IAS Avalanche Current 64 EA

Otros transistores... PD516BA , PD517BA , PD533BA , PD537BA , PD548BA , PD570BA , PD612BA , PD628BA , 18N50 , P0806ATF , P0806ATX , P0808ATG , P082ABD8 , P0850AT , P0850ATF , P085AATX , P0903BD .

 

 

 


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