P0806AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P0806AT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 113 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 82 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 78 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 466 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET P0806AT
P0806AT Datasheet (PDF)
p0806at.pdf
P0806ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60V 8.5m @VGS = 10V 82ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 60VVGSGate-Source Voltage 25TC = 25 C82IDContinuous Drain Current2TC = 100 C52AIDM246Pulsed Drain Current
p0806atx.pdf
P0806ATXN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60V 8m @VGS = 10V 110ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C110IDContinuous Drain Current1TC = 100 C69AIDM300Pulsed Drain Current2IASAvalanche Current 102
p0806atf.pdf
P0806ATFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60V 8.5m @VGS = 10V 57ATO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 25 VTC = 25 C57IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C36AIDMPulsed Drain Current 220IASAvalanche Current 64EA
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Liste
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