P0806AT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P0806AT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 113 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 82 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 78 nC
Время нарастания (tr): 95 ns
Выходная емкость (Cd): 466 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO220
P0806AT Datasheet (PDF)
p0806at.pdf
P0806ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60V 8.5m @VGS = 10V 82ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 60VVGSGate-Source Voltage 25TC = 25 C82IDContinuous Drain Current2TC = 100 C52AIDM246Pulsed Drain Current
p0806atx.pdf
P0806ATXN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60V 8m @VGS = 10V 110ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C110IDContinuous Drain Current1TC = 100 C69AIDM300Pulsed Drain Current2IASAvalanche Current 102
p0806atf.pdf
P0806ATFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60V 8.5m @VGS = 10V 57ATO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 25 VTC = 25 C57IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C36AIDMPulsed Drain Current 220IASAvalanche Current 64EA
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
