P0808ATG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P0808ATG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 89 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 243 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 980 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Encapsulados: TO220
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P0808ATG datasheet
p0808atg.pdf
P0808ATG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 75V 8m @VGS = 10V 89A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 89 ID Continuous Drain Current1 TC = 100 C 63 A IDM 250 Pulsed Drain Current2 IAS Avalanche Current 85 EA
vp0808.pdf
Supertex inc. VP0808 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, Low power drive requirement silicon-gate manufacturing process. This combination Ease of paralleling produces a device with the power
Otros transistores... PD537BA , PD548BA , PD570BA , PD612BA , PD628BA , P0806AT , P0806ATF , P0806ATX , IRF2807 , P082ABD8 , P0850AT , P0850ATF , P085AATX , P0903BD , P0903BDA , P0903BDB , P0903BDG .
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