Справочник MOSFET. P0808ATG

 

P0808ATG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0808ATG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 89 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 243 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для P0808ATG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0808ATG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  unikc
 p0808atg.pdf pdf_icon

P0808ATG

P0808ATGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID75V 8m @VGS = 10V 89ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C89IDContinuous Drain Current1TC = 100 C63AIDM250Pulsed Drain Current2IASAvalanche Current 85EA

 9.1. Size:545K  supertex
 vp0808.pdf pdf_icon

P0808ATG

Supertex inc. VP0808P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power

Другие MOSFET... PD537BA , PD548BA , PD570BA , PD612BA , PD628BA , P0806AT , P0806ATF , P0806ATX , IRFB31N20D , P082ABD8 , P0850AT , P0850ATF , P085AATX , P0903BD , P0903BDA , P0903BDB , P0903BDG .

History: STF32N65M5 | IXTH90P10P | 2SK1206

 

 
Back to Top

 


 
.