Справочник MOSFET. P0808ATG

 

P0808ATG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0808ATG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 89 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 243 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P0808ATG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  unikc
 p0808atg.pdf pdf_icon

P0808ATG

P0808ATGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID75V 8m @VGS = 10V 89ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C89IDContinuous Drain Current1TC = 100 C63AIDM250Pulsed Drain Current2IASAvalanche Current 85EA

 9.1. Size:545K  supertex
 vp0808.pdf pdf_icon

P0808ATG

Supertex inc. VP0808P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: VB1102M | SMK0460D | SI3911DV-T1 | NTP2955 | J106 | PMN70XPE | LR024N

 

 
Back to Top

 


 
.