P0808ATG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P0808ATG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 89 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 129 nC
Время нарастания (tr): 243 ns
Выходная емкость (Cd): 980 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO220
P0808ATG Datasheet (PDF)
p0808atg.pdf
P0808ATGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID75V 8m @VGS = 10V 89ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C89IDContinuous Drain Current1TC = 100 C63AIDM250Pulsed Drain Current2IASAvalanche Current 85EA
vp0808.pdf
Supertex inc. VP0808P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
