P0850AT Todos los transistores

 

P0850AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P0850AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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P0850AT Datasheet (PDF)

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P0850AT

P0850ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID500V 0.85 @VGS = 10V 8ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 500VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C8IDContinuous Drain Current2TC = 100 C5AIDM30Pulsed Drain Current1

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P0850AT

P0850ATFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID500V 0.85 @VGS = 10V 8ATO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 500VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C8IDContinuous Drain Current2TC = 100 C5AIDM30Pulsed Drain Current

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History: TSM60N03CP

 

 
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