P0850AT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P0850AT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 21.6 nC
Время нарастания (tr): 71 ns
Выходная емкость (Cd): 138 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO220
P0850AT Datasheet (PDF)
p0850at.pdf
P0850ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID500V 0.85 @VGS = 10V 8ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 500VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C8IDContinuous Drain Current2TC = 100 C5AIDM30Pulsed Drain Current1
p0850atf.pdf
P0850ATFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID500V 0.85 @VGS = 10V 8ATO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 500VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C8IDContinuous Drain Current2TC = 100 C5AIDM30Pulsed Drain Current
Другие MOSFET... PD570BA , PD612BA , PD628BA , P0806AT , P0806ATF , P0806ATX , P0808ATG , P082ABD8 , IRF530 , P0850ATF , P085AATX , P0903BD , P0903BDA , P0903BDB , P0903BDG , P0903BDL , P0603BD .
