P0850AT - описание и поиск аналогов

 

P0850AT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P0850AT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для P0850AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0850AT даташит

 ..1. Size:391K  unikc
 p0850at.pdf pdf_icon

P0850AT

P0850AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 500V 0.85 @VGS = 10V 8A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 500 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 8 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 5 A IDM 30 Pulsed Drain Current1

 0.1. Size:463K  unikc
 p0850atf.pdf pdf_icon

P0850AT

P0850ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 500V 0.85 @VGS = 10V 8A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 500 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 8 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 5 A IDM 30 Pulsed Drain Current

Другие MOSFET... PD570BA , PD612BA , PD628BA , P0806AT , P0806ATF , P0806ATX , P0808ATG , P082ABD8 , IRFZ24N , P0850ATF , P085AATX , P0903BD , P0903BDA , P0903BDB , P0903BDG , P0903BDL , P0603BD .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.