Справочник MOSFET. P0850AT

 

P0850AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0850AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для P0850AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0850AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  unikc
 p0850at.pdf pdf_icon

P0850AT

P0850ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID500V 0.85 @VGS = 10V 8ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 500VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C8IDContinuous Drain Current2TC = 100 C5AIDM30Pulsed Drain Current1

 0.1. Size:463K  unikc
 p0850atf.pdf pdf_icon

P0850AT

P0850ATFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID500V 0.85 @VGS = 10V 8ATO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 500VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C8IDContinuous Drain Current2TC = 100 C5AIDM30Pulsed Drain Current

Другие MOSFET... PD570BA , PD612BA , PD628BA , P0806AT , P0806ATF , P0806ATX , P0808ATG , P082ABD8 , AON6380 , P0850ATF , P085AATX , P0903BD , P0903BDA , P0903BDB , P0903BDG , P0903BDL , P0603BD .

History: NCE6080D | ZXMN10A11G | AM7304N | NCEP6060GU | CHM4228JGP | UTT40P04 | SPP15N65C3

 

 
Back to Top

 


 
.