P0604BD Todos los transistores

 

P0604BD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P0604BD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 378 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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P0604BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:463K  unikc
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P0604BD

P0604BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID40V 7m @VGS = 10V 64ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C64IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C40AIDM150Pulsed Drain Current1

 9.1. Size:627K  supertex
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P0604BD

Supertex inc. TP0604P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold (-2.4V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off)transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs High input impedancewell-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitance (95pF typical)combination produces a dev

Otros transistores... P0603BDD , P0603BDF , P0603BDG , P0603BDL , P0603BEAD , P0603BK , P0603BT , P0603BV , 2SK3918 , P0610BTF , P062ABD8 , P062ABDD , P062ABDF , P0660AS , P0660AT , P0660ATF , P0690ATF .

History: TK13A25D | 2SK3417B | VBL1101M | GSM1304E | 2SK259 | VS3508AE | SSM2302GN

 

 
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