P0604BD MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

P0604BD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P0604BD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 378 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO252

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P0604BD datasheet

..1. Size:463K unikc
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P0604BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 7m @VGS = 10V 64A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 64 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 40 A IDM 150 Pulsed Drain Current1

9.1. Size:627K supertex
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Supertex inc. TP0604 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Low threshold (-2.4V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s High input impedance well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitance (95pF typical) combination produces a dev

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History: NCE80T900F | BRCS150P04DP

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