Справочник MOSFET. P0604BD

 

P0604BD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0604BD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 378 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P0604BD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0604BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:463K  unikc
 p0604bd.pdf pdf_icon

P0604BD

P0604BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID40V 7m @VGS = 10V 64ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C64IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C40AIDM150Pulsed Drain Current1

 9.1. Size:627K  supertex
 tp0604.pdf pdf_icon

P0604BD

Supertex inc. TP0604P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold (-2.4V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off)transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs High input impedancewell-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitance (95pF typical)combination produces a dev

Другие MOSFET... P0603BDD , P0603BDF , P0603BDG , P0603BDL , P0603BEAD , P0603BK , P0603BT , P0603BV , 2SK3918 , P0610BTF , P062ABD8 , P062ABDD , P062ABDF , P0660AS , P0660AT , P0660ATF , P0690ATF .

History: OSG60R060HT3F | LDP9933ET1G | CEU4204 | HY029N10B | AOTF2146L

 

 
Back to Top

 


 
.