P0604BD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P0604BD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 378 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P0604BD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0604BD даташит

 ..1. Size:463K  unikc
 p0604bd.pdf pdf_icon

P0604BD

P0604BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 7m @VGS = 10V 64A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 64 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 40 A IDM 150 Pulsed Drain Current1

 9.1. Size:627K  supertex
 tp0604.pdf pdf_icon

P0604BD

Supertex inc. TP0604 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Low threshold (-2.4V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s High input impedance well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitance (95pF typical) combination produces a dev

Другие IGBT... P0603BDD, P0603BDF, P0603BDG, P0603BDL, P0603BEAD, P0603BK, P0603BT, P0603BV, AO4407, P0610BTF, P062ABD8, P062ABDD, P062ABDF, P0660AS, P0660AT, P0660ATF, P0690ATF