P0780ATF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P0780ATF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.94 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de P0780ATF MOSFET
P0780ATF Datasheet (PDF)
p0780atf-s.pdf

P0780ATF/P0780ATFSN-Channel High Voltage Mode Field Effect TransistorPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.94 @VGS = 10V800V 7ATO-220FTO-220FSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 800VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C7IDContinuous Drain Current2TC = 100
Otros transistores... P0703EV , P0765ATF , P0765GTF , P0765GTFS , P0770EI , P0770EIS , P0770ETF , P0770ETFS , IRF9540 , P0780ATFS , P0803BDG , P0803BVG , P0804BD , P0804BD8 , P0804BK , P0804BVG , P0903BEA .
History: AO4294 | 2SK1608 | SM1A18NSQG | FHF10N65A | IPB031NE7N3G | NCE8205I
History: AO4294 | 2SK1608 | SM1A18NSQG | FHF10N65A | IPB031NE7N3G | NCE8205I



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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