Справочник MOSFET. P0780ATF

 

P0780ATF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0780ATF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.94 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P0780ATF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:543K  unikc
 p0780atf-s.pdf pdf_icon

P0780ATF

P0780ATF/P0780ATFSN-Channel High Voltage Mode Field Effect TransistorPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.94 @VGS = 10V800V 7ATO-220FTO-220FSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 800VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C7IDContinuous Drain Current2TC = 100

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TPA65R950M | NCEP026N10F | SSP7462N | SI7913DN | JCS5N50CT | MC11N005 | NVMFS5C628N

 

 
Back to Top

 


 
.