P0803BVG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P0803BVG  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: SOP8

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P0803BVG datasheet

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P0803BVG

P0803BVG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 8m @VGS = 10V 13A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 13 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 8 A IDM 50 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 50 EAS

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P0803BVG

P0803BDG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9.2m @VGS = 10V 30V 60A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 60 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 38 A IDM 120 Pulsed Drain Current1

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P0803BVG

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P0803BVG

AP0803GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible RDS(ON) 8.5m Low On-resistance ID 50A G RoHS Compliant S D D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device des

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