Справочник MOSFET. P0803BVG

 

P0803BVG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P0803BVG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
   Время нарастания (tr): 48 ns
   Выходная емкость (Cd): 550 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для P0803BVG

 

 

P0803BVG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:372K  unikc
p0803bvg.pdf

P0803BVG
P0803BVG

P0803BVGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 8m @VGS = 10V 13ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C13IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C8AIDM50Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 50EAS

 8.1. Size:530K  unikc
p0803bdg.pdf

P0803BVG
P0803BVG

P0803BDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9.2m @VGS = 10V30V 60ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C60IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C38AIDM120Pulsed Drain Current1

 9.1. Size:1531K  1
ap0803qd.pdf

P0803BVG
P0803BVG

 9.2. Size:92K  ape
ap0803gmt-hf.pdf

P0803BVG
P0803BVG

AP0803GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible RDS(ON) 8.5m Low On-resistance ID 50AG RoHS CompliantSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device des

 9.3. Size:95K  ape
ap0803gmt-a-hf.pdf

P0803BVG
P0803BVG

AP0803GMT-A-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible RDS(ON) 8.5m Low On-resistance ID 50AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,rugg

 9.4. Size:97K  ape
ap0803gmp-hf.pdf

P0803BVG
P0803BVG

AP0803GMP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V Low On-resistance RDS(ON) 9.5m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 44AGSDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the DDDdesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design,

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top