P092ABD Todos los transistores

 

P092ABD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P092ABD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 63 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 277 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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P092ABD Datasheet (PDF)

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P092ABD

P092ABDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9.5m @VGS = 10V25V 63ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C63IDContinuous Drain Current2TC= 100 C40AIDM180Pulsed Drain Current1

Otros transistores... P0910ATF , P0910ATG , P0920AD , P0920AT , P0920ATF , P0920BD , P0925AD , P0925BTF , IRLB4132 , P0950ETF , P0950ETFS , P0990AU , P1003BDF , P1003BK , P1003EK , P1003EVG , P1004BD .

History: AFN2318 | AOWF12T60P | 2SK701 | AO4818 | HSU20N15A | QH8MA4 | SVF18N50FJ

 

 
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