P092ABD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P092ABD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 63 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 277 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: TO252

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P092ABD datasheet

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P092ABD

P092ABD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9.5m @VGS = 10V 25V 63A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 25 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 63 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 40 A IDM 180 Pulsed Drain Current1

Otros transistores... P0910ATF, P0910ATG, P0920AD, P0920AT, P0920ATF, P0920BD, P0925AD, P0925BTF, 4435, P0950ETF, P0950ETFS, P0990AU, P1003BDF, P1003BK, P1003EK, P1003EVG, P1004BD