Справочник MOSFET. P092ABD

 

P092ABD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P092ABD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 277 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P092ABD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P092ABD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:493K  unikc
 p092abd.pdf pdf_icon

P092ABD

P092ABDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9.5m @VGS = 10V25V 63ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C63IDContinuous Drain Current2TC= 100 C40AIDM180Pulsed Drain Current1

Другие MOSFET... P0910ATF , P0910ATG , P0920AD , P0920AT , P0920ATF , P0920BD , P0925AD , P0925BTF , IRLB4132 , P0950ETF , P0950ETFS , P0990AU , P1003BDF , P1003BK , P1003EK , P1003EVG , P1004BD .

History: CEB16N10 | 2SK4067I | P1060AT | OSG60R320FT3ZF | FQB2N90TM | IXFH16N50P | TPR65R120M

 

 
Back to Top

 


 
.