P092ABD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P092ABD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 277 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P092ABD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P092ABD даташит

 ..1. Size:493K  unikc
 p092abd.pdf pdf_icon

P092ABD

P092ABD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9.5m @VGS = 10V 25V 63A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 25 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 63 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 40 A IDM 180 Pulsed Drain Current1

Другие IGBT... P0910ATF, P0910ATG, P0920AD, P0920AT, P0920ATF, P0920BD, P0925AD, P0925BTF, 4435, P0950ETF, P0950ETFS, P0990AU, P1003BDF, P1003BK, P1003EK, P1003EVG, P1004BD