P106AAT Todos los transistores

 

P106AAT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P106AAT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 119 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 351 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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P106AAT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  unikc
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P106AAT

P106AATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID65V 10m @VGS = 10V 74ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 65VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C74IDContinuous Drain Current2TC = 100 C38AIDM180Pulsed Drain Current1

 9.1. Size:88K  fairchild semi
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P106AAT

June 2001 FDFS2P106A Integrated 60V P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Features The FDFS2P106A combines the exceptional 3.0 A, 60V RDS(ON) = 110 m @ VGS = 10 V performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET RDS(ON) = 140 m @ VGS = 4.5 V technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectif

Otros transistores... P1006BTFS , P1060AT , P1060ATF , P1060ATFS , P1060ETF , P1060ETFS , P1065AT , P1065ATF , K2611 , P1070ATF , P1070ATFS , P1103BEA , P1103BVG , P117AATX , P1203BD , P1203BEA , P1203BKA .

History: HGP115N15S

 

 
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