P106AAT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P106AAT  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 351 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO220

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P106AAT datasheet

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P106AAT

P106AAT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 65V 10m @VGS = 10V 74A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 65 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 74 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 38 A IDM 180 Pulsed Drain Current1

 9.1. Size:88K  fairchild semi
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P106AAT

June 2001 FDFS2P106A Integrated 60V P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Features The FDFS2P106A combines the exceptional 3.0 A, 60V RDS(ON) = 110 m @ VGS = 10 V performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET RDS(ON) = 140 m @ VGS = 4.5 V technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectif

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