Справочник MOSFET. P106AAT

 

P106AAT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P106AAT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 119 nC
   trⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 351 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для P106AAT

 

 

P106AAT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  unikc
 p106aat.pdf

P106AAT P106AAT

P106AATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID65V 10m @VGS = 10V 74ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 65VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C74IDContinuous Drain Current2TC = 100 C38AIDM180Pulsed Drain Current1

 9.1. Size:88K  fairchild semi
 fdfs2p106a.pdf

P106AAT P106AAT

June 2001 FDFS2P106A Integrated 60V P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Features The FDFS2P106A combines the exceptional 3.0 A, 60V RDS(ON) = 110 m @ VGS = 10 V performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET RDS(ON) = 140 m @ VGS = 4.5 V technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectif

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top