P1070ATF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1070ATF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 57 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 189 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO220F

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P1070ATF datasheet

 0.1. Size:830K  unikc
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P1070ATF

P1070ATF / P1070ATFS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.85 @VGS = 10V 700V 10A TO-220F TO-220FS 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 700 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 10 ID Continuous Drain Current2 TC = 100

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