Справочник MOSFET. P1070ATF

 

P1070ATF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P1070ATF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для P1070ATF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1070ATF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:830K  unikc
 p1070atf-s.pdf pdf_icon

P1070ATF

P1070ATF / P1070ATFSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID0.85 @VGS = 10V700V 10ATO-220F TO-220FS 100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 700VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C10IDContinuous Drain Current2TC = 100

Другие MOSFET... P1060AT , P1060ATF , P1060ATFS , P1060ETF , P1060ETFS , P1065AT , P1065ATF , P106AAT , AO3401 , P1070ATFS , P1103BEA , P1103BVG , P117AATX , P1203BD , P1203BEA , P1203BKA , P1203BV .

History: IXFH30N50Q3 | KF7N65FM | STY80NM60N | IRF1407PBF

 

 
Back to Top

 


 
.