P117AATX Todos los transistores

 

P117AATX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P117AATX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 917 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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P117AATX Datasheet (PDF)

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P117AATX

P117AATXN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID75V 11m @VGS = 10V 80ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 75VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C80IDContinuous Drain Current1TC = 100 C70AIDM320Pulsed Drain Current

Otros transistores... P1060ETFS , P1065AT , P1065ATF , P106AAT , P1070ATF , P1070ATFS , P1103BEA , P1103BVG , IRF1405 , P1203BD , P1203BEA , P1203BKA , P1203BV , P1203ED , P1203EEA , P1203EK , P1203EV .

History: NCE65N900F | HGA059N12S | FQPF7N10

 

 
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