P117AATX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P117AATX  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 917 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P117AATX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P117AATX даташит

 ..1. Size:606K  unikc
 p117aatx.pdf pdf_icon

P117AATX

P117AATX N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 75V 11m @VGS = 10V 80A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 75 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 80 ID Continuous Drain Current1 TC = 100 C 70 A IDM 320 Pulsed Drain Current

Другие IGBT... P1060ETFS, P1065AT, P1065ATF, P106AAT, P1070ATF, P1070ATFS, P1103BEA, P1103BVG, 2N60, P1203BD, P1203BEA, P1203BKA, P1203BV, P1203ED, P1203EEA, P1203EK, P1203EV