Справочник MOSFET. P117AATX

 

P117AATX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P117AATX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 917 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P117AATX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:606K  unikc
 p117aatx.pdf pdf_icon

P117AATX

P117AATXN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID75V 11m @VGS = 10V 80ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 75VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C80IDContinuous Drain Current1TC = 100 C70AIDM320Pulsed Drain Current

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: KO6401-HF | 2SK1550 | IXTC250N075T | HSU60P02 | FTK2816E | UTT50P10 | SIE800DF

 

 
Back to Top

 


 
.