Справочник MOSFET. P117AATX

 

P117AATX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P117AATX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 917 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для P117AATX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P117AATX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:606K  unikc
 p117aatx.pdf pdf_icon

P117AATX

P117AATXN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID75V 11m @VGS = 10V 80ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 75VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C80IDContinuous Drain Current1TC = 100 C70AIDM320Pulsed Drain Current

Другие MOSFET... P1060ETFS , P1065AT , P1065ATF , P106AAT , P1070ATF , P1070ATFS , P1103BEA , P1103BVG , IRFZ48N , P1203BD , P1203BEA , P1203BKA , P1203BV , P1203ED , P1203EEA , P1203EK , P1203EV .

History: RTQ045N03 | AUIRFP2907 | QS6K1 | WSD30100DN56 | CEM6861 | SHD226412R | STP22NF03L

 

 
Back to Top

 


 
.