P1210BK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P1210BK
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 220 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 338 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
Búsqueda de reemplazo de P1210BK MOSFET
P1210BK Datasheet (PDF)
p1210bk.pdf

P1210BKN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID12m @VGS = 10V100V 40APDFN 5X6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C40IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C26IDM110Pulsed Drain Curren
Otros transistores... P1203BEA , P1203BKA , P1203BV , P1203ED , P1203EEA , P1203EK , P1203EV , P1203EVG , IRFZ48N , P1212AT , P1260AT , P1260ATF , P1308AK , P1308ATFG , P1308ATG , P1350AT , P1350ATF .
History: NP90N04NDH | GSM6405WS | FDP8878
History: NP90N04NDH | GSM6405WS | FDP8878



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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