P1210BK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P1210BK  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 338 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P1210BK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1210BK даташит

 ..1. Size:800K  unikc
 p1210bk.pdf pdf_icon

P1210BK

P1210BK N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12m @VGS = 10V 100V 40A PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 40 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 26 IDM 110 Pulsed Drain Curren

Другие IGBT... P1203BEA, P1203BKA, P1203BV, P1203ED, P1203EEA, P1203EK, P1203EV, P1203EVG, SI2302, P1212AT, P1260AT, P1260ATF, P1308AK, P1308ATFG, P1308ATG, P1350AT, P1350ATF