P1212AT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1212AT  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 128 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 831 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO220

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P1212AT datasheet

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P1212AT

P1212AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12m @VGS = 10V 120V 75A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 75 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 47 A IDM 300 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 55 E

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P1212AT

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCEP1212AS NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP1212AS uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for

Otros transistores... P1203BKA, P1203BV, P1203ED, P1203EEA, P1203EK, P1203EV, P1203EVG, P1210BK, AO4407, P1260AT, P1260ATF, P1308AK, P1308ATFG, P1308ATG, P1350AT, P1350ATF, P1350ATFS