P1212AT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P1212AT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 128 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 831 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P1212AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1212AT даташит

 ..1. Size:592K  unikc
 p1212at.pdf pdf_icon

P1212AT

P1212AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12m @VGS = 10V 120V 75A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 75 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 47 A IDM 300 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 55 E

 8.1. Size:427K  ncepower
 ncep1212as.pdf pdf_icon

P1212AT

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCEP1212AS NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP1212AS uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for

Другие IGBT... P1203BKA, P1203BV, P1203ED, P1203EEA, P1203EK, P1203EV, P1203EVG, P1210BK, AO4407, P1260AT, P1260ATF, P1308AK, P1308ATFG, P1308ATG, P1350AT, P1350ATF, P1350ATFS