Справочник MOSFET. P1212AT

 

P1212AT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P1212AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 128 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 178 nC
   trⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 831 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для P1212AT

 

 

P1212AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:592K  unikc
 p1212at.pdf

P1212AT P1212AT

P1212ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID12m @VGS = 10V120V 75ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C75IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C47AIDM300Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 55E

 8.1. Size:427K  ncepower
 ncep1212as.pdf

P1212AT P1212AT

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCEP1212ASNCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP1212AS uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top