P1212AT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P1212AT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 128 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 120 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 178 nC
Время нарастания (tr): 140 ns
Выходная емкость (Cd): 831 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO220
P1212AT Datasheet (PDF)
p1212at.pdf
P1212ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID12m @VGS = 10V120V 75ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C75IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C47AIDM300Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 55E
ncep1212as.pdf
Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCEP1212ASNCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP1212AS uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
