P1510ATG Todos los transistores

 

P1510ATG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1510ATG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 64 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 131 nC

Tiempo de elevación (tr): 110 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 420 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.015 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P1510ATG

 

P1510ATG Datasheet (PDF)

..1. p1510atg.pdf Size:458K _unikc

P1510ATG
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P1510ATGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID15m @VGS = 10V100V 64ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C64IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C45AIDM200Pulsed Drain Current

Otros transistores... P1503BVG , P1503HK , P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P55NF06 , P1520ED , P1603BD , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED .

 

 
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