Справочник MOSFET. P1510ATG

 

P1510ATG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: P1510ATG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 64 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 131 nC

Время нарастания (tr): 110 ns

Выходная емкость (Cd): 420 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для P1510ATG

 

 

P1510ATG Datasheet (PDF)

..1. p1510atg.pdf Size:458K _unikc

P1510ATG P1510ATG

P1510ATGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID15m @VGS = 10V100V 64ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C64IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C45AIDM200Pulsed Drain Current

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , K2611 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top