P1510ATG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P1510ATG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P1510ATG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1510ATG даташит

 ..1. Size:458K  unikc
 p1510atg.pdf pdf_icon

P1510ATG

P1510ATG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 15m @VGS = 10V 100V 64A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 64 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 45 A IDM 200 Pulsed Drain Current

Другие IGBT... P1503BVG, P1503HK, P1503HV, P1504BDG, P1504BVG, P1504EDG, P1504EIS, P1504HV, IRLZ44N, P1520ED, P1603BD, P1603BEB, P1603BEBA, P1603BEBB, P1603BV, P1603BVA, P1604ED