Справочник MOSFET. P1510ATG

 

P1510ATG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P1510ATG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 64 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 131 nC
   Время нарастания (tr): 110 ns
   Выходная емкость (Cd): 420 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для P1510ATG

 

 

P1510ATG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  unikc
p1510atg.pdf

P1510ATG P1510ATG

P1510ATGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID15m @VGS = 10V100V 64ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C64IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C45AIDM200Pulsed Drain Current

Другие MOSFET... P1503BVG , P1503HK , P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P55NF06 , P1520ED , P1603BD , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED .

 

 
Back to Top