P1510ATG - описание и поиск аналогов

 

P1510ATG - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P1510ATG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 131 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для P1510ATG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1510ATG технические параметры

 ..1. Size:458K  unikc
 p1510atg.pdf pdf_icon

P1510ATG

P1510ATG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 15m @VGS = 10V 100V 64A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 64 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 45 A IDM 200 Pulsed Drain Current

Другие MOSFET... P1503BVG , P1503HK , P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , IRLZ44N , P1520ED , P1603BD , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED .

History: CRST037N10N

 

 
Back to Top

 


 
.