P1603BEBB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P1603BEBB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 1.8 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de compuerta (Qg): 13.4 nC
Tiempo de elevación (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 86 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.016 Ohm
Empaquetado / Estuche: PDFN2X2S
Búsqueda de reemplazo de MOSFET P1603BEBB
P1603BEBB Datasheet (PDF)
0.1. p1603bebb.pdf 
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P1603BEBBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID316m @VGS = 10V30V 24APDFN 2X2SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C24TC = 100 C15IDContinuous Drain Current3TA = 25 C8.2ATA=
6.1. p1603beba.pdf Size:456K _unikc
P1603BEBAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID316m @VGS = 10V30V 24APDFN 2X2SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C24TC = 100 C15IDContinuous Drain Current3TA = 25 C8.8ATA=
6.2. p1603beb.pdf Size:221K _unikc
P1603BEBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID316m @VGS = 10V30V 21APDFN 2X2SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C21TC = 100 C17IDContinuous Drain Current3TA = 25 C8ATA= 70
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
