Справочник MOSFET. P1603BEBB

 

P1603BEBB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P1603BEBB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S
 

 Аналог (замена) для P1603BEBB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1603BEBB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:681K  unikc
 p1603bebb.pdf pdf_icon

P1603BEBB

P1603BEBBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID316m @VGS = 10V30V 24APDFN 2X2SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C24TC = 100 C15IDContinuous Drain Current3TA = 25 C8.2ATA=

 6.1. Size:221K  unikc
 p1603beb.pdf pdf_icon

P1603BEBB

P1603BEBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID316m @VGS = 10V30V 21APDFN 2X2SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C21TC = 100 C17IDContinuous Drain Current3TA = 25 C8ATA= 70

 6.2. Size:456K  unikc
 p1603beba.pdf pdf_icon

P1603BEBB

P1603BEBAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID316m @VGS = 10V30V 24APDFN 2X2SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C24TC = 100 C15IDContinuous Drain Current3TA = 25 C8.8ATA=

 8.1. Size:473K  unikc
 p1603bva.pdf pdf_icon

P1603BEBB

P1603BVAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID16m @VGS = 10V30V 9.4ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C9.4IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C7.5AIDM50Pulsed Drain Current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , P1603BD , P1603BEB , P1603BEBA , AON6414A , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF , P1606BD , P1610AD , P1610AT .

History: LNTR4003NLT1G | SSM6P15FU | SWN7N65K2 | IXTK120N25P | STD100N03LT4 | HGP059N08A | STW75N60M6

 

 
Back to Top

 


 
.