P1606BD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1606BD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 99 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0185 Ohm

Encapsulados: TO252

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P1606BD datasheet

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P1606BD

P1606BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 18.5m @VGS = 10V 60V 42A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 42 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 26 A IDM 110 Pulsed Drain Current1,2 IAS Avalanche Current 4

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P1606BD

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P1606BD

VBP1606 www.VBsemi.com N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.007 100 % Rg and UIS tested ID (A) 150 Configuration Single Package TO-247 D TO-247AC G S D G N-Channel MOSFET S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) PARAMETER S

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