P1606BD Todos los transistores

 

P1606BD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P1606BD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 99 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0185 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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P1606BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:902K  unikc
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P1606BD

P1606BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID18.5m @VGS = 10V60V 42ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C42IDContinuous Drain Current2TC = 100 C26AIDM110Pulsed Drain Current1,2IASAvalanche Current 4

 9.1. Size:871K  cn vbsemi
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P1606BD

VBP1606www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.007 100 % Rg and UIS testedID (A) 150Configuration SinglePackage TO-247DTO-247ACGSDGN-Channel MOSFET SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)PARAMETER S

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History: HGP1K2N20ML | R5021ANJ | NCE8205A | PDD6902 | APT50M50JLC | R6007ENJ | AUIRF7759L2TR

 

 
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