P1606BD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P1606BD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 99 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0185 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для P1606BD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1606BD даташит

 ..1. Size:902K  unikc
 p1606bd.pdf pdf_icon

P1606BD

P1606BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 18.5m @VGS = 10V 60V 42A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 42 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 26 A IDM 110 Pulsed Drain Current1,2 IAS Avalanche Current 4

 9.1. Size:1320K  allpower
 ap1606.pdf pdf_icon

P1606BD

 9.2. Size:871K  cn vbsemi
 vbp1606.pdf pdf_icon

P1606BD

VBP1606 www.VBsemi.com N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.007 100 % Rg and UIS tested ID (A) 150 Configuration Single Package TO-247 D TO-247AC G S D G N-Channel MOSFET S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) PARAMETER S

Другие IGBT... P1603BEB, P1603BEBA, P1603BEBB, P1603BV, P1603BVA, P1604ED, P1604ET, P1604ETF, P55NF06, P1610AD, P1610AT, P1703BDG, P2610ADG, P2610AI, P2610ATFG, P2610ATG, P2610BD