Справочник MOSFET. P1606BD

 

P1606BD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P1606BD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 99 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0185 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P1606BD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1606BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:902K  unikc
 p1606bd.pdf pdf_icon

P1606BD

P1606BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID18.5m @VGS = 10V60V 42ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C42IDContinuous Drain Current2TC = 100 C26AIDM110Pulsed Drain Current1,2IASAvalanche Current 4

 9.1. Size:871K  cn vbsemi
 vbp1606.pdf pdf_icon

P1606BD

VBP1606www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.007 100 % Rg and UIS testedID (A) 150Configuration SinglePackage TO-247DTO-247ACGSDGN-Channel MOSFET SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)PARAMETER S

Другие MOSFET... P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF , IRFB4115 , P1610AD , P1610AT , P1703BDG , P2610ADG , P2610AI , P2610ATFG , P2610ATG , P2610BD .

History: NCE65T360D | VBFB1615 | 2SJ308 | GSM9510S | MTP3N100 | VBZE40P06 | PMPB55XNEA

 

 
Back to Top

 


 
.