P1703BDG Todos los transistores

 

P1703BDG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P1703BDG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 208 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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P1703BDG Datasheet (PDF)

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P1703BDG

P1703BDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID16m @VGS = 10V25V 42ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C42IDContinuous Drain Current2TC= 100 C26AIDM168Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 27EA

Otros transistores... P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF , P1606BD , P1610AD , P1610AT , AON7408 , P2610ADG , P2610AI , P2610ATFG , P2610ATG , P2610BD , P2610BS , P2610BT , P2615ATFG .

History: IXFC14N80P | ME35N10 | SI1035X

 

 
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