Справочник MOSFET. P1703BDG

 

P1703BDG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P1703BDG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P1703BDG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1703BDG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:496K  unikc
 p1703bdg.pdf pdf_icon

P1703BDG

P1703BDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID16m @VGS = 10V25V 42ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C42IDContinuous Drain Current2TC= 100 C26AIDM168Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 27EA

Другие MOSFET... P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF , P1606BD , P1610AD , P1610AT , AON7408 , P2610ADG , P2610AI , P2610ATFG , P2610ATG , P2610BD , P2610BS , P2610BT , P2615ATFG .

History: ME70N10T-G | LSD65R180GT | IXFH21N50Q | BLS65R041F-W | PHP79NQ08LT | SI1413EDH | SGSP577

 

 
Back to Top

 


 
.