P1703BDG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P1703BDG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для P1703BDG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1703BDG даташит

 ..1. Size:496K  unikc
 p1703bdg.pdf pdf_icon

P1703BDG

P1703BDG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 16m @VGS = 10V 25V 42A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC= 25 C 42 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 26 A IDM 168 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 27 EA

Другие IGBT... P1603BV, P1603BVA, P1604ED, P1604ET, P1604ETF, P1606BD, P1610AD, P1610AT, IRFP250N, P2610ADG, P2610AI, P2610ATFG, P2610ATG, P2610BD, P2610BS, P2610BT, P2615ATFG