Справочник MOSFET. P1703BDG

 

P1703BDG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P1703BDG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P1703BDG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:496K  unikc
 p1703bdg.pdf pdf_icon

P1703BDG

P1703BDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID16m @VGS = 10V25V 42ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C42IDContinuous Drain Current2TC= 100 C26AIDM168Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 27EA

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BF1201R | PNMET20V06E | SPD04N60C3 | OSG55R074HSZF | 2SK1501 | FQU13N10L | FDC654P

 

 
Back to Top

 


 
.