IRCZ245 Todos los transistores

 

IRCZ245 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRCZ245
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 17 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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IRCZ245 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:141K  international rectifier
ircz24 ircz24pbf.pdf

IRCZ245
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PD - 9.615AIRCZ24HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingVDSS = 55V Current Sense 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of ParallelingID = 26A Simple Drive RequirementsDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

 8.2. Size:145K  international rectifier
ircz24.pdf

IRCZ245
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PD - 9.615AIRCZ24HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingVDSS = 55V Current Sense 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of ParallelingID = 26A Simple Drive RequirementsDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

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