IRCZ245 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRCZ245  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO220

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IRCZ245 datasheet

 8.1. Size:141K  international rectifier
 ircz24 ircz24pbf.pdf pdf_icon

IRCZ245

PD - 9.615A IRCZ24 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating VDSS = 55V Current Sense 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of Paralleling ID = 26A Simple Drive Requirements Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

 8.2. Size:145K  international rectifier
 ircz24.pdf pdf_icon

IRCZ245

PD - 9.615A IRCZ24 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating VDSS = 55V Current Sense 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of Paralleling ID = 26A Simple Drive Requirements Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

Otros transistores... IRCP244, IRCP250, IRCP254, IRCP340, IRCP350, IRCP440, IRCP450, IRCZ14, IRF9540N, IRCZ345, IRCZ445, IRF044, IRF054, IRF1010E, IRF1010EL, IRF1010ES, IRF1010N