IRCZ245 Todos los transistores

 

IRCZ245 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRCZ245
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IRCZ245 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:141K  international rectifier
 ircz24 ircz24pbf.pdf pdf_icon

IRCZ245

PD - 9.615AIRCZ24HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingVDSS = 55V Current Sense 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of ParallelingID = 26A Simple Drive RequirementsDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

 8.2. Size:145K  international rectifier
 ircz24.pdf pdf_icon

IRCZ245

PD - 9.615AIRCZ24HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingVDSS = 55V Current Sense 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of ParallelingID = 26A Simple Drive RequirementsDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

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History: IXFM15N80 | IPU95R750P7

 

 
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