Справочник MOSFET. IRCZ245

 

IRCZ245 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRCZ245
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IRCZ245

 

 

IRCZ245 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:141K  international rectifier
ircz24 ircz24pbf.pdf

IRCZ245
IRCZ245

PD - 9.615AIRCZ24HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingVDSS = 55V Current Sense 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of ParallelingID = 26A Simple Drive RequirementsDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

 8.2. Size:145K  international rectifier
ircz24.pdf

IRCZ245
IRCZ245

PD - 9.615AIRCZ24HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingVDSS = 55V Current Sense 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of ParallelingID = 26A Simple Drive RequirementsDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

Другие MOSFET... IRCP244 , IRCP250 , IRCP254 , IRCP340 , IRCP350 , IRCP440 , IRCP450 , IRCZ14 , AO3407 , IRCZ345 , IRCZ445 , IRF044 , IRF054 , IRF1010E , IRF1010EL , IRF1010ES , IRF1010N .

 

 
Back to Top