IRCZ245 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRCZ245
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO220
IRCZ245 Datasheet (PDF)
ircz24 ircz24pbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 9.615AIRCZ24HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingVDSS = 55V Current Sense 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of ParallelingID = 26A Simple Drive RequirementsDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and
ircz24.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 9.615AIRCZ24HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingVDSS = 55V Current Sense 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of ParallelingID = 26A Simple Drive RequirementsDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and
Другие MOSFET... IRCP244 , IRCP250 , IRCP254 , IRCP340 , IRCP350 , IRCP440 , IRCP450 , IRCZ14 , SPP20N60C3 , IRCZ345 , IRCZ445 , IRF044 , IRF054 , IRF1010E , IRF1010EL , IRF1010ES , IRF1010N .
![IRCZ245](https://alltransistors.com/images/us.png)
![IRCZ245](https://alltransistors.com/images/es.png)
![IRCZ245](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: NCES120R018T4 | NCES120P075T4 | NCES120P035T4 | NCES075R026T4 | NCES075R026T | NCEP60ND60G | NCEP60ND30AG | NCEP40T14A | NCEP40ND80G | NCEP1580F | NCEP023NH85GU | NCEP023NH85AGU | NCEP018NH30QU | NCEP015NH30GU | NCEP015NH30AQU | NCEP015NH30AGU