IRCZ245 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IRCZ245. Основные параметры


   Наименование производителя: IRCZ245
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IRCZ245

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRCZ245 даташит

 8.1. Size:141K  international rectifier
 ircz24 ircz24pbf.pdf pdf_icon

IRCZ245

PD - 9.615A IRCZ24 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating VDSS = 55V Current Sense 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of Paralleling ID = 26A Simple Drive Requirements Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

 8.2. Size:145K  international rectifier
 ircz24.pdf pdf_icon

IRCZ245

PD - 9.615A IRCZ24 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating VDSS = 55V Current Sense 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of Paralleling ID = 26A Simple Drive Requirements Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

Другие MOSFET... IRCP244 , IRCP250 , IRCP254 , IRCP340 , IRCP350 , IRCP440 , IRCP450 , IRCZ14 , IRF9540N , IRCZ345 , IRCZ445 , IRF044 , IRF054 , IRF1010E , IRF1010EL , IRF1010ES , IRF1010N .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.