P261AFEA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P261AFEA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 599 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3P

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P261AFEA datasheet

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P261AFEA

P261AFEA P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20m @VGS = -4.5V -12V -32A PDFN 3x3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -12 V VGS Gate-Source Voltage 8 TC = 25 C -32 TC = 100 C -20 ID Continuous Drain Current2 TA = 25

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P261AFEA

P261ALV Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 19m @VGS = -4.5V -12V -8.5A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -12 V VGS Gate-Source Voltage 8 V TA= 25 C -8.5 ID Continuous Drain Current TA= 70 C -6.8 A IDM -34 Pulsed Dra

Otros transistores... P2610AI, P2610ATFG, P2610ATG, P2610BD, P2610BS, P2610BT, P2615ATFG, P2615ATG, AO3401, P261ALV, P1810ATX, P1820AD, P1820BD, P1825AD, P1825AT, P2003BDG, P3504BD