P261AFEA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: P261AFEA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.85 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 599 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P261AFEA

P261AFEA Datasheet (PDF)

..1. Size:481K unikc
p261afea.pdf

P261AFEAP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = -4.5V -12V -32APDFN 3x3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -12VVGSGate-Source Voltage 8 TC = 25 C-32 TC = 100 C-20IDContinuous Drain Current2 TA = 25

9.1. Size:458K unikc
p261alv.pdf

P261ALVDual P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID19m @VGS = -4.5V-12V -8.5ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -12 VVGSGate-Source Voltage 8 VTA= 25 C-8.5IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C-6.8AIDM-34Pulsed Dra

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History: QM3202M3 | QM6020AP

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: