P261AFEA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P261AFEA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 599 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

Аналог (замена) для P261AFEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P261AFEA даташит

 ..1. Size:481K  unikc
 p261afea.pdf pdf_icon

P261AFEA

P261AFEA P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20m @VGS = -4.5V -12V -32A PDFN 3x3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -12 V VGS Gate-Source Voltage 8 TC = 25 C -32 TC = 100 C -20 ID Continuous Drain Current2 TA = 25

 9.1. Size:458K  unikc
 p261alv.pdf pdf_icon

P261AFEA

P261ALV Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 19m @VGS = -4.5V -12V -8.5A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -12 V VGS Gate-Source Voltage 8 V TA= 25 C -8.5 ID Continuous Drain Current TA= 70 C -6.8 A IDM -34 Pulsed Dra

Другие IGBT... P2610AI, P2610ATFG, P2610ATG, P2610BD, P2610BS, P2610BT, P2615ATFG, P2615ATG, AO3401, P261ALV, P1810ATX, P1820AD, P1820BD, P1825AD, P1825AT, P2003BDG, P3504BD