P261AFEA - аналоги и даташиты транзистора

 

P261AFEA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P261AFEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 599 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для P261AFEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P261AFEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  unikc
 p261afea.pdf pdf_icon

P261AFEA

P261AFEAP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = -4.5V -12V -32APDFN 3x3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -12VVGSGate-Source Voltage 8 TC = 25 C-32 TC = 100 C-20IDContinuous Drain Current2 TA = 25

 9.1. Size:458K  unikc
 p261alv.pdf pdf_icon

P261AFEA

P261ALVDual P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID19m @VGS = -4.5V-12V -8.5ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -12 VVGSGate-Source Voltage 8 VTA= 25 C-8.5IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C-6.8AIDM-34Pulsed Dra

Другие MOSFET... P2610AI , P2610ATFG , P2610ATG , P2610BD , P2610BS , P2610BT , P2615ATFG , P2615ATG , IRFP260 , P261ALV , P1810ATX , P1820AD , P1820BD , P1825AD , P1825AT , P2003BDG , P3504BD .

 

 
Back to Top

 


 
.