P1810ATX Todos los transistores

 

P1810ATX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P1810ATX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 63 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 617 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de P1810ATX MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

P1810ATX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  unikc
 p1810atx.pdf pdf_icon

P1810ATX

P1810ATXN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 18m @VGS = 10V 63ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C63IDContinuous Drain Current2TC = 100 C40AIDM180Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 87

 9.1. Size:551K  alfa-mos
 afp1810.pdf pdf_icon

P1810ATX

AFP1810 Alfa-MOS 100V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1810, P-Channel enhancement mode -100/-2.0A,RDS(ON)= 230m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -100/-1.0A,RDS(ON)= 245m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularl

Otros transistores... P2610ATG , P2610BD , P2610BS , P2610BT , P2615ATFG , P2615ATG , P261AFEA , P261ALV , 8205A , P1820AD , P1820BD , P1825AD , P1825AT , P2003BDG , P3504BD , P3506DD , P3506DT .

History: JCS11N90ABT | SSM3K35MFV | SM140R50CT2TL | AOE6932 | NTMFD4C20N | NVMFD5C478N | RHU003N03

 

 
Back to Top

 


 
.