P1810ATX MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1810ATX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 63 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 617 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO220

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P1810ATX datasheet

 ..1. Size:335K  unikc
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P1810ATX

P1810ATX N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100V 18m @VGS = 10V 63A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 63 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 40 A IDM 180 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 87

 9.1. Size:551K  alfa-mos
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P1810ATX

AFP1810 Alfa-MOS 100V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1810, P-Channel enhancement mode -100/-2.0A,RDS(ON)= 230m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -100/-1.0A,RDS(ON)= 245m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularl

Otros transistores... P2610ATG, P2610BD, P2610BS, P2610BT, P2615ATFG, P2615ATG, P261AFEA, P261ALV, IRFP260, P1820AD, P1820BD, P1825AD, P1825AT, P2003BDG, P3504BD, P3506DD, P3506DT