P1810ATX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P1810ATX
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 63 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 617 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de P1810ATX MOSFET
P1810ATX Datasheet (PDF)
p1810atx.pdf
P1810ATXN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 18m @VGS = 10V 63ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C63IDContinuous Drain Current2TC = 100 C40AIDM180Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 87
afp1810.pdf
AFP1810 Alfa-MOS 100V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1810, P-Channel enhancement mode -100/-2.0A,RDS(ON)= 230m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -100/-1.0A,RDS(ON)= 245m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularl
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Liste
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