P1810ATX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P1810ATX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 617 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для P1810ATX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1810ATX даташит

 ..1. Size:335K  unikc
 p1810atx.pdf pdf_icon

P1810ATX

P1810ATX N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100V 18m @VGS = 10V 63A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 63 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 40 A IDM 180 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 87

 9.1. Size:551K  alfa-mos
 afp1810.pdf pdf_icon

P1810ATX

AFP1810 Alfa-MOS 100V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1810, P-Channel enhancement mode -100/-2.0A,RDS(ON)= 230m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -100/-1.0A,RDS(ON)= 245m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularl

Другие IGBT... P2610ATG, P2610BD, P2610BS, P2610BT, P2615ATFG, P2615ATG, P261AFEA, P261ALV, IRFP260, P1820AD, P1820BD, P1825AD, P1825AT, P2003BDG, P3504BD, P3506DD, P3506DT