Справочник MOSFET. P1810ATX

 

P1810ATX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P1810ATX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 617 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для P1810ATX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1810ATX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  unikc
 p1810atx.pdf pdf_icon

P1810ATX

P1810ATXN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 18m @VGS = 10V 63ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C63IDContinuous Drain Current2TC = 100 C40AIDM180Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 87

 9.1. Size:551K  alfa-mos
 afp1810.pdf pdf_icon

P1810ATX

AFP1810 Alfa-MOS 100V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1810, P-Channel enhancement mode -100/-2.0A,RDS(ON)= 230m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -100/-1.0A,RDS(ON)= 245m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularl

Другие MOSFET... P2610ATG , P2610BD , P2610BS , P2610BT , P2615ATFG , P2615ATG , P261AFEA , P261ALV , 8205A , P1820AD , P1820BD , P1825AD , P1825AT , P2003BDG , P3504BD , P3506DD , P3506DT .

History: BRB100N03

 

 
Back to Top

 


 
.