P1820BD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1820BD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 169 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: TO252

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P1820BD datasheet

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P1820BD

P1820BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 160m @VGS = 10V 200V 18A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 200 V VGS Gate-Source Voltage 30 V TC= 25 C 18 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 11.4 A IDM 30 Pulsed Drain Curre

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P1820BD

P1820AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 160m @VGS = 10V 200V 18A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 200 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 18 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 11 A IDM 29 Pulsed Drain Curren

Otros transistores... P2610BS, P2610BT, P2615ATFG, P2615ATG, P261AFEA, P261ALV, P1810ATX, P1820AD, SPP20N60C3, P1825AD, P1825AT, P2003BDG, P3504BD, P3506DD, P3506DT, P3506DTF, P3606BD