P1820BD - аналоги и даташиты транзистора

 

P1820BD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P1820BD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 169 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P1820BD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1820BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:423K  unikc
 p1820bd.pdf pdf_icon

P1820BD

P1820BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID160m @VGS = 10V200V 18ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 200 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC= 25 C18IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C11.4AIDM30Pulsed Drain Curre

 9.1. Size:441K  unikc
 p1820ad.pdf pdf_icon

P1820BD

P1820ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID160m @VGS = 10V200V 18ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 200VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C18IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C11AIDM29Pulsed Drain Curren

Другие MOSFET... P2610BS , P2610BT , P2615ATFG , P2615ATG , P261AFEA , P261ALV , P1810ATX , P1820AD , SPP20N60C3 , P1825AD , P1825AT , P2003BDG , P3504BD , P3506DD , P3506DT , P3506DTF , P3606BD .

History: 2SK2504TL | SI8465DB | SVF2N60RM

 

 
Back to Top

 


 
.