P1820BD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P1820BD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 169 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для P1820BD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1820BD даташит

 ..1. Size:423K  unikc
 p1820bd.pdf pdf_icon

P1820BD

P1820BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 160m @VGS = 10V 200V 18A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 200 V VGS Gate-Source Voltage 30 V TC= 25 C 18 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 11.4 A IDM 30 Pulsed Drain Curre

 9.1. Size:441K  unikc
 p1820ad.pdf pdf_icon

P1820BD

P1820AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 160m @VGS = 10V 200V 18A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 200 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 18 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 11 A IDM 29 Pulsed Drain Curren

Другие IGBT... P2610BS, P2610BT, P2615ATFG, P2615ATG, P261AFEA, P261ALV, P1810ATX, P1820AD, SPP20N60C3, P1825AD, P1825AT, P2003BDG, P3504BD, P3506DD, P3506DT, P3506DTF, P3606BD