IRF044 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF044
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 44 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 88(max) nC
   Tiempo de subida (tr): 130(max) nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1100 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF044

IRF044 Datasheet (PDF)

..1. Size:144K international rectifier
irf044.pdf

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0.1. Size:21K semelab
irf044smd.pdf

IRF044SMDSEMELABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 34A RDS(on) 0.040FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPL

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Liste

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