IRF044 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF044

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 44 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de la puerta (Qg): 88(max) nC

Tiempo de subida (tr): 130(max) nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1100 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.028 Ohm

Paquete / Cubierta: TO3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF044

 

BUY TRANSISTORS

 

IRF044 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  international rectifier
 irf044.pdf

PD - 90584REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF04460V, N-CHANNELHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF044 60V 0.028 44The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design

 0.1. Size:21K  semelab
 irf044smd.pdf

IRF044SMDSEMELABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 34A RDS(on) 0.040FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPL

Otros transistores... IRCP340 , IRCP350 , IRCP440 , IRCP450 , IRCZ14 , IRCZ245 , IRCZ345 , IRCZ445 , 7N65 , IRF054 , IRF1010E , IRF1010EL , IRF1010ES , IRF1010N , IRF1010NL , IRF1010NS , IRF1104 .