IRF044 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF044  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 130 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: TO3

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IRF044 datasheet

 ..1. Size:144K  international rectifier
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IRF044

PD - 90584 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF044 60V, N-CHANNEL HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF044 60V 0.028 44 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design

 0.1. Size:21K  semelab
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IRF044

IRF044SMD SEME LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 34A RDS(on) 0.040 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OF PCB SPACE. SIMPL

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