IRF044 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF044

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 44 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 88(max) nC

Время нарастания (tr): 130(max) ns

Выходная емкость (Cd): 1100 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IRF044

 

BUY TRANSISTORS

 

 

IRF044 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  international rectifier
 irf044.pdf

PD - 90584REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF04460V, N-CHANNELHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF044 60V 0.028 44The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design

 0.1. Size:21K  semelab
 irf044smd.pdf

IRF044SMDSEMELABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 34A RDS(on) 0.040FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPL

Другие MOSFET... IRCP340 , IRCP350 , IRCP440 , IRCP450 , IRCZ14 , IRCZ245 , IRCZ345 , IRCZ445 , 7N65 , IRF054 , IRF1010E , IRF1010EL , IRF1010ES , IRF1010N , IRF1010NL , IRF1010NS , IRF1104 .