Справочник MOSFET. IRF044

 

IRF044 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF044
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 130(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF044 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  international rectifier
 irf044.pdf pdf_icon

IRF044

PD - 90584REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF04460V, N-CHANNELHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF044 60V 0.028 44The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design

 0.1. Size:21K  semelab
 irf044smd.pdf pdf_icon

IRF044

IRF044SMDSEMELABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 34A RDS(on) 0.040FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPL

Другие MOSFET... IRCP340 , IRCP350 , IRCP440 , IRCP450 , IRCZ14 , IRCZ245 , IRCZ345 , IRCZ445 , TK10A60D , IRF054 , IRF1010E , IRF1010EL , IRF1010ES , IRF1010N , IRF1010NL , IRF1010NS , IRF1104 .

History: FQD12N20LTF | DG840 | KNB1906A | SDF120JDA-D | FDPF8N50NZU | IRLU3715 | STL56N3LLH5

 

 
Back to Top

 


 
.