IRF044 - описание и поиск аналогов

 

IRF044 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF044
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IRF044

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF044 технические параметры

 ..1. Size:144K  international rectifier
 irf044.pdf pdf_icon

IRF044

PD - 90584 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF044 60V, N-CHANNEL HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF044 60V 0.028 44 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design

 0.1. Size:21K  semelab
 irf044smd.pdf pdf_icon

IRF044

IRF044SMD SEME LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 34A RDS(on) 0.040 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OF PCB SPACE. SIMPL

Другие MOSFET... IRCP340 , IRCP350 , IRCP440 , IRCP450 , IRCZ14 , IRCZ245 , IRCZ345 , IRCZ445 , AO3401 , IRF054 , IRF1010E , IRF1010EL , IRF1010ES , IRF1010N , IRF1010NL , IRF1010NS , IRF1104 .

 

 
Back to Top

 


 
.