IRF054 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF054
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 45 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 180(max) nC
Tiempo de subida (tr): 180(max) nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2000 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF054
IRF054 Datasheet (PDF)
irf054.pdf

PD - 90640REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF05460V, N-CHANNELHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product SummaryPart Number BVDSS RDS(on) IDIRF054 60V 0.022 45A*The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design ac
irf054smd.pdf

IRF054SMDSEMELABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 45A RDS(on) 0.027FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
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Liste
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