Справочник MOSFET. IRF054

 

IRF054 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF054

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 180(max) nC

Время нарастания (tr): 180(max) ns

Выходная емкость (Cd): 2000 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IRF054

 

 

IRF054 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  international rectifier
irf054.pdf

IRF054
IRF054

PD - 90640REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF05460V, N-CHANNELHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product SummaryPart Number BVDSS RDS(on) IDIRF054 60V 0.022 45A*The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design ac

 0.1. Size:22K  semelab
irf054smd.pdf

IRF054
IRF054

IRF054SMDSEMELABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 45A RDS(on) 0.027FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

Другие MOSFET... IRCP350 , IRCP440 , IRCP450 , IRCZ14 , IRCZ245 , IRCZ345 , IRCZ445 , IRF044 , 4N60 , IRF1010E , IRF1010EL , IRF1010ES , IRF1010N , IRF1010NL , IRF1010NS , IRF1104 , IRF130 .

 

 
Back to Top