IRF054 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF054
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 180(max) nC
Время нарастания (tr): 180(max) ns
Выходная емкость (Cd): 2000 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm
Тип корпуса: TO3
IRF054 Datasheet (PDF)
irf054.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 90640REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF05460V, N-CHANNELHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product SummaryPart Number BVDSS RDS(on) IDIRF054 60V 0.022 45A*The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design ac
irf054smd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRF054SMDSEMELABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 45A RDS(on) 0.027FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
Другие MOSFET... IRCP350 , IRCP440 , IRCP450 , IRCZ14 , IRCZ245 , IRCZ345 , IRCZ445 , IRF044 , IRF1010E , IRF1010E , IRF1010EL , IRF1010ES , IRF1010N , IRF1010NL , IRF1010NS , IRF1104 , IRF130 .
![IRF054](https://alltransistors.com/images/us.png)
![IRF054](https://alltransistors.com/images/es.png)
![IRF054](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: NCES120R018T4 | NCES120P075T4 | NCES120P035T4 | NCES075R026T4 | NCES075R026T | NCEP60ND60G | NCEP60ND30AG | NCEP40T14A | NCEP40ND80G | NCEP1580F | NCEP023NH85GU | NCEP023NH85AGU | NCEP018NH30QU | NCEP015NH30GU | NCEP015NH30AQU | NCEP015NH30AGU