P2204ND5G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P2204ND5G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 253 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de P2204ND5G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

P2204ND5G datasheet

 ..1. Size:770K  unikc
p2204nd5g.pdf pdf_icon

P2204ND5G

P2204ND5G N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 22m @VGS =10V 40V 24A N 33m @VGS = -10V -40V -19A P TO-252-5 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 40 VDS Drain-Source Voltage P -40 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 24 TC = 25 C P -19 ID

 ..2. Size:1255K  cn vbsemi
p2204nd5g.pdf pdf_icon

P2204ND5G

P2204ND5G www.VBsemi.tw N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL d 100 % Rg and UIS Tested VDS (V) 40 - 40 RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.014 0.014 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.016 0.016 APPLICATIONS ID (A) 50 - 50 CCFL Inverter Configuration N- and P-Pair TO-252-4L D-PAK D1/D2 D1/D2 Top V

Otros transistores... P2004EV, P2060ZTF, P2060ZTFS, P2103HVG, P2103NVG, P2202CM, P2202CM6, P2202CV, IRFB7545, P2206BD, P2402OV, P2502IZG, P8008BD, P8008BDA, P8008BV, P8008BVA, P8008HV