P2204ND5G Todos los transistores

 

P2204ND5G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P2204ND5G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 253 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET P2204ND5G

 

P2204ND5G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:770K  unikc
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P2204ND5G

P2204ND5G N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 22m @VGS =10V 40V 24A N 33m @VGS = -10V -40V -19A P TO-252-5 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 40 VDS Drain-Source Voltage P -40 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 24 TC = 25 C P -19 ID

 ..2. Size:1255K  cn vbsemi
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P2204ND5G

P2204ND5G www.VBsemi.tw N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL d 100 % Rg and UIS Tested VDS (V) 40 - 40 RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.014 0.014 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.016 0.016 APPLICATIONS ID (A) 50 - 50 CCFL Inverter Configuration N- and P-Pair TO-252-4L D-PAK D1/D2 D1/D2 Top V

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