P2204ND5G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P2204ND5G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 253 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P2204ND5G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2204ND5G даташит

 ..1. Size:770K  unikc
 p2204nd5g.pdf pdf_icon

P2204ND5G

P2204ND5G N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 22m @VGS =10V 40V 24A N 33m @VGS = -10V -40V -19A P TO-252-5 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 40 VDS Drain-Source Voltage P -40 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 24 TC = 25 C P -19 ID

 ..2. Size:1255K  cn vbsemi
 p2204nd5g.pdf pdf_icon

P2204ND5G

P2204ND5G www.VBsemi.tw N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL d 100 % Rg and UIS Tested VDS (V) 40 - 40 RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.014 0.014 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.016 0.016 APPLICATIONS ID (A) 50 - 50 CCFL Inverter Configuration N- and P-Pair TO-252-4L D-PAK D1/D2 D1/D2 Top V

Другие IGBT... P2004EV, P2060ZTF, P2060ZTFS, P2103HVG, P2103NVG, P2202CM, P2202CM6, P2202CV, IRFB7545, P2206BD, P2402OV, P2502IZG, P8008BD, P8008BDA, P8008BV, P8008BVA, P8008HV