Справочник MOSFET. P2204ND5G

 

P2204ND5G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P2204ND5G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 253 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P2204ND5G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2204ND5G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:770K  unikc
 p2204nd5g.pdf pdf_icon

P2204ND5G

P2204ND5GN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel22m @VGS =10V40V 24A N33m @VGS = -10V-40V -19A PTO-252-5ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 40VDSDrain-Source VoltageP -40VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 24TC = 25 CP -19ID

 ..2. Size:1255K  cn vbsemi
 p2204nd5g.pdf pdf_icon

P2204ND5G

P2204ND5Gwww.VBsemi.twN- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNELd 100 % Rg and UIS TestedVDS (V) 40 - 40RDS(on) () at VGS = 10 V 0.014 0.014RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.016 0.016APPLICATIONSID (A) 50 - 50 CCFL InverterConfiguration N- and P-PairTO-252-4L D-PAK D1/D2 D1/D2 Top V

Другие MOSFET... P2004EV , P2060ZTF , P2060ZTFS , P2103HVG , P2103NVG , P2202CM , P2202CM6 , P2202CV , 8N60 , P2206BD , P2402OV , P2502IZG , P8008BD , P8008BDA , P8008BV , P8008BVA , P8008HV .

History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04

 

 
Back to Top

 


 
.