P8315ATF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P8315ATF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 208 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.083 Ohm

Encapsulados: TO220F

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P8315ATF datasheet

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P8315ATF

P8315ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 83m @VGS = 10V 150V 13.5A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 150 V VGS Gate-Source Voltage 30 Tc = 25 C 13.5 ID Continuous Drain Current Tc = 100 C 8.5 A IDM 50 Pulsed Drain

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P8315ATF

P8315AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 83m @VGS = 10V 150V 20A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 150 V VGS Gate-Source Voltage 30 V TC = 25 C 20 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 12 A IDM 50 Pulsed Drain Curren

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P8315ATF

P8315BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 83m @VGS = 10V 150V 20A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 150 V VGS Gate-Source Voltage 30 V TC = 25 C 20 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 12 A IDM 50 Pulsed Drain Curren

Otros transistores... P8008BV, P8008BVA, P8008HV, P8008HVA, P8010BD, P8010BIS, P8010BV, P8315AD, IRF740, P8315BD, P8503BMA, P8503BMG, P3003EDG, P3004BD, P3004ND5G, P3010BV, P3055LDG