P8315ATF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: P8315ATF 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.083 Ohm
Тип корпуса: TO220F
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для P8315ATF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
P8315ATF даташит
p8315atf.pdf
P8315ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 83m @VGS = 10V 150V 13.5A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 150 V VGS Gate-Source Voltage 30 Tc = 25 C 13.5 ID Continuous Drain Current Tc = 100 C 8.5 A IDM 50 Pulsed Drain
p8315ad.pdf
P8315AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 83m @VGS = 10V 150V 20A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 150 V VGS Gate-Source Voltage 30 V TC = 25 C 20 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 12 A IDM 50 Pulsed Drain Curren
p8315bd.pdf
P8315BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 83m @VGS = 10V 150V 20A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 150 V VGS Gate-Source Voltage 30 V TC = 25 C 20 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 12 A IDM 50 Pulsed Drain Curren
Другие IGBT... P8008BV, P8008BVA, P8008HV, P8008HVA, P8010BD, P8010BIS, P8010BV, P8315AD, IRF740, P8315BD, P8503BMA, P8503BMG, P3003EDG, P3004BD, P3004ND5G, P3010BV, P3055LDG
History: DHD7N65 | DHDSJ5N65
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet



